供應 RA08H1317M
RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在135-工作的移動(dòng)收音機175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門(mén)極電壓上升.與周?chē)?.5V（最低），輸出功率和電壓門(mén)漏電流大幅增加.額定輸出功率變
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RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在135-工作的移動(dòng)收音機175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門(mén)極電壓上升.與周?chē)?.5V（最低），輸出功率和電壓門(mén)漏電流大幅增加.額定輸出功率變在3V（典型值）和3.5V（最大）提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專(zhuān)為非線(xiàn)性頻調制，但可能也可用于線(xiàn)性調制通過(guò)設置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.
特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>8W @ VDD=12.5V, VGG=3.5V, Pin=20mW
•ηT>40% @ Pout=8W (VGG控制），VDD=12.5V, Pin=20mW
•寬帶頻率范圍：135-175MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
•模塊尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
•線(xiàn)性操作有可能通過(guò)設置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
•RA08H1317M-101是RoHS兼容產(chǎn)品.
•RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分
廠(chǎng)商資料
廠(chǎng)商動(dòng)態(tài)