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供應 RA13H4452M
  • 價(jià)格：面議
  • 品牌：MITSUBISHI
  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

    • RA13H4452M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在440-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著(zhù)gate voltage around 4V (minimum), output power and

    產(chǎn)品詳情商家聯(lián)系電話(huà)：86-0755-83996702

    RA13H4452M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在440-經(jīng)營(yíng)移動(dòng)收音機520-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒(méi)有門(mén)電壓(VGG進(jìn)排水=0V),只是一個(gè)很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著(zhù)gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.額定輸出功率變?yōu)榭稍?.5V（典型值）和5V（最大）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專(zhuān)為非線(xiàn)性調頻調制，但可能也可用于線(xiàn)性調制通過(guò)設置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.

    特征
    •增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
    • Pout>13W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
    •寬帶頻率范圍：440-520MHz
    •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
    •模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
    •線(xiàn)性操作有可能通過(guò)設置靜態(tài)漏電流同門(mén)電壓和輸出功率的控制輸入功率
    廠(chǎng)商資料
    三菱射頻模塊及功率管，Honeywell全系列傳感器和變送器，日本科索電源模塊，微波射頻器件等。
    廠(chǎng)商動(dòng)態(tài)